IGBT高温反偏试验台(HTRB测试仪)
设备简述
IGBT高压反偏试验是在一定温度条件(125℃)下,按照规定的时间和电压,对IGBT施加反偏电压,从而对器件进行质量检验和耐久性评估的一种主要试验 方法。是专为IGBT模块进行高温反偏试验而进行设计,是IGBT出厂检测的重要设备。该试验台可对相应的IGBT器件进行适配器匹配,同时对48只器件进行试验。测试标准符合MIL-STD-750,IEC 60747。本设备采用计算机自动控制系统,后台软件实时监控、自动处理目标数据,具有测试精度高、操作方便、高效等优点。
电气系统额定参数
A.输入电压:380V AC;
B. 输出电压:0-5000V DC;
C. 输出电流:2.5A(Max);
D. 工作相抵湿度:空气湿度 < 50%(高压设备严格要求);
E. 环境温度:0-50℃。
测试技术参数
1)每个工位电流:输出范围0-40mA,过流保护值40Ma,
2)输出电压:200-4700V,分辨率10V,精度±2%±10V,(空-满载调整率<2%),100-200V, 分辨率10V,精度±5%±10V,(空-满载调整率<2%)。试验电压可设定保护值,保护动作时切断主电路,并带有声光报警。
3)工位输出电流:每个工位分为高低档,低档:0.1-15ma,分辨率0.1ma,精度±2%±0.1ma;高档:15-40ma,分辨率0.1ma,精度±5%±0.5ma;漏电流采集模块内三只单管的并联值。漏电流可设定保护值,保护动作时切断相应工位主电路,并带有声光报警。
4)工位对IGBT封装的兼容性:本设备适用器件尺寸190×140mm,夹具适配器调整后可兼容130×140mm尺寸。
每个工位有卡槽固定IGBT基板位置,气缸控制适配器,气动下压;模块基板采用气动压接方式固定在加热体表面;本试验台另配气泵等附件。
规格
尺 寸:1800×650×500(mm)
质 量:175kg
测试工位:20工位
工位转换:自动切换
耐温范围:-50ºC~140ºC
技术指标
静态参数测试 高压反偏测试
测试参数IR 0.01mA~2mA
0.01mA~1m±3%±0.01mA 1mA~2mA±3%±0.1mA
测试条件:
反向电压:直流50~5000V ±3%±10V.
试验电压: 50~5000V ±3%±10V
器件漏电流测试范围: 0.01mA~2mA
0.01mA~1mA±3%±0.01mA
1mA~2mA±3%±0.1mA 测试时间:
计算机设定
测试方法:
器件在特定温度下存储一定时间后,在设定电压下对每只器件同 时持续加反压进行测试,每隔1-2秒刷新一遍输出的测试结果, 监控各器件反压下漏电流参数,并保存测试数据。
测试参数BVR 50V~5000V±3%±10V。
测试条件:
反向电流:0.01mA~2mA;直流方波。
0.01mA~1±3%±0.01mA; 1mA~2mA±3%±0.1mA。
测试方法 器件在特定温度下存储一定时间后,先测试IR ,每只 器件依次进行测试,测试间隔时间为约1S。然后同时 测试BVR,依次采集电流。间隔时间为约100mS。
功能指标
试验高低温度范围 -50 ºC~140ºC
高低温箱温控精度 ±1
温度范围 -50℃~RT
温度波动 ≤±2℃(空载时)
温度均匀 ≤±3℃(空载时)
升温速率 不小于1~3℃/min(空载时)
供电电源 220V±10%,50Hz±1Hz,安全接地
http://chbdt1995.b2b168.com
欢迎来到西安长禾半导体技术有限公司网站, 具体地址是陕西省西安市雁塔区西安市高新区锦业路69号创新商务公寓1号楼10310室,老板是杨炜光。
主要经营功率半导体器件电参数测试、功率老化试验、环境老炼试验、器件极限能力测试。
功率器件参数验证与二次筛选测试:**器件性能稳定,助力客户优化供应链质量控制。
车规级元器件检测与认证:针对新能源汽车领域,提供符合严苛车规标准的功率器件筛选与可靠性验证,助力行业客户突破核心技术瓶颈。
环境与老化实验:模拟较端环境下器件工作状态,确保产品在复杂工况中长期可靠运行。。
单位注册资金单位注册资金人民币 250 - 500 万元。
我们公司主要供应功率器件测试服务等产品,我们的产品货真价实,性能可靠,欢迎电话咨询!