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    西安长禾半导体技术有限公司

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  • 公司认证: 营业执照已认证
  • 企业性质:私营企业
    成立时间:2020
  • 公司地址: 陕西省 西安市 雁塔区 丈八沟街道 西安市高新区锦业路69号创新商务公寓1号楼10310室
  • 姓名: 蒲辰
  • 认证: 手机已认证 身份证未认证 微信未绑定

    供应分类

    晶闸管功率器件的静态参数测试/功率器件的动态参数测试

  • 所属行业:仪器仪表 电子元器件 场效应管/模块
  • 发布日期:2024-05-31
  • 阅读量:233
  • 价格:1.00 元/件 起
  • 产品规格:不限
  • 产品数量:10000.00 件
  • 包装说明:不限
  • 发货地址:陕西西安雁塔区丈八沟街道  
  • 关键词:长禾

    晶闸管功率器件的静态参数测试/功率器件的动态参数测试详细内容

    功率器件要测哪些参数?IGBT要测那些参数?功率器件的静态参数测试/功率器件的动态参数测试,欢迎联系西安长禾半导体,我们是做深圳IGBT测试、深圳SiC测试、深圳间歇寿命测试、深圳老炼测试、HTGB测试、HTRB测试、HT3GB测试、深圳热阻测试、RTH测试、静态/动态参数测试、深圳DPA测试、失效分析。

    随着技术发展,*三代半导体功率器件开始由实验室阶段步入商业应用,未来应用潜力巨大。通常这些新型器件测试要求更高的电压和功率水平,更快的开关时间。西安长禾半导体积极布局*三代半导体功率器件的测试业务,引进国际先进的测试技术,为功率半导体产业上下游企业提供器件参数检测服务,助力器件国产化、高新化发展。

    测试标准:

    覆盖MIL-STD-750,IEC 60747系列,GB/T29332等标准;服务内容包括:静态参数,动态参数,热特性,雪崩耐量,短路特性及绝缘耐压测试;设备支持0-1500A,0-3000V的器件参数检测。

    产品范围:

    MOSFET、IGBT、DIODE、BJT,*三代半导体器件等分立器件,以及上述元件构成的功率模块

    测试项目:

    静态参数 符号

    Drain to Source Breakdown Voltage       BVDSS

    Drain Leakage Current                             IDSS

    Gate Leakage Current                              IGSS

    Gate Threshold Voltage                          VGS(th)

    Drain to Source On Resistance                RDS(on)

    Drain to Source On Voltage                      VDS(on)

    Body Diode Forward Voltage                      VSD

    Internal Gate Resistance                                Rg

    Input capacitance                                       Cies

    Output capacitance                                  Coes

    Reverse transfer capacitance                    Cres

    Transconductance                                   gfs

    Gate to Source Plateau Voltage          Vgs(pl)

    动态参数 符号

    Turn-on delay time                                  td(on)

    Rise time                                                     tr

    Turn-off delay time                                    td(off)

    Fall time                                                       tf

    Turn-on energy                                         Eon

    Turn-off energy                                         Eoff

    Diode reverse recovery time                       trr

    Diode reverse recovery charge                 Qrr

    Diode peak reverse recovery current       Irrm

    Diode peak rate of fall of reverse

    recovery current                                       dirr/dt

    Total gate charge                                       QG

    Gate-Emitter charge                                QGC

    Gate-Collector charge                             QGE

    其他参数 符号

    thermal resistance                                    Rth

    Unclamped Inductive Switching              UIS

    Reverse biased safe operating area        RBSOA


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    欢迎来到西安长禾半导体技术有限公司网站, 具体地址是陕西省西安市雁塔区西安市高新区锦业路69号创新商务公寓1号楼10310室,老板是李耀武。 主要经营仪器仪表相关产品。 单位注册资金单位注册资金人民币 250 - 500 万元。 我们公司主要供应功率器件测试服务等产品,我们的产品货真价实,性能可靠,欢迎电话咨询!