IGBT浪涌，雪崩，功率循环测试服务

检测项目

覆盖产品

检测能力

参考标准

直流参数

MOSFET、IGBT、DIODE等模块产品；

检测较大电压：7500V 检测较大电流：6000A

国标，IEC

雪崩能量

MOSFET、IGBT、DIODE，*三代半导体器件等单管器件

检测较大电压：2500V 检测较大电流：200A

美**

栅较电阻

MOSFET、IGBT及*三代半导体器件

检测阻抗：0.1Ω～50Ω

JEDEC

开关时间

MOSFET、IGBT、DIODE及*三代半导体单管器件；

检测较大电压：1200V 检测较大电流：200A

美**，国标，IEC等

开关时间

IGBT等模块产品

检测较大电压：2700V 检测较大电流：4000A

国标，IEC

反向恢复

MOSFET、IGBT、DIODE及*三代半导体器件等单管器件

检测较大电压：1200V 检测较大电流：200A

美**，国标，IEC等

反向恢复

IGBT等模块产品

检测较大电压：2700V 检测较大电流：4000A

国标，IEC

栅较电荷

MOSFET、IGBT、DIODE及*三代半导体器件等单管器件

检测较大电压：1200V 检测较大电流：200A

美**，国标，IEC等

栅较电荷

IGBT等模块产品

检测较大电压：2700V 检测较大电流：4000A

国标，IEC

短路耐量能力

MOSFET、IGBT、DIODE及*三代半导体器件等单管器件

检测较大电压：1200V 检测较大电流：1000A

美**，国标，IEC等

短路耐量能力

IGBT等模块产品

检测较大电压：2700V 检测较大电流：10000A

国标，IEC

结电容

MOSFET、IGBT及*三代半导体器件等单管器件

检测较大电压：3000V

IEC

参数曲线扫描

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，*三代半导体器件等单管器件的I-V、C-V曲线

检测较大电压：3000V 检测较大电流：1500A 温度：-70°C~180°C

美**，IEC等

热阻性能

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，*三代半导体器件等单管产品

最大功率：250W

美**，JEDEC

热阻性能

IGBT等模块产品

最大功率：4000W

美**，JEDEC

ESD能力

MOSFET、IGBT、IC等产品

HBM较大电压：8000V；MM较大电压：800V

美**，ANSI，JEDEC等

*正向浪涌能力

DIODE（Si/SiC）、整流桥

检测较大电流：800A

美**，国标