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电参数测试	分立器件静态参数测试（DC）	执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012、GJB128B-2021 试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件；检测能力：检测大电压：2000V 检测大电流：200A；试验参数：漏电参数：IR、ICBO、ICEO、IDSS、IDOFF、IDRM、 IRRM、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、 IGSSR；击穿参数：BVCEO、BVCES、BVDSS、BVCBO、VDRM、 VRRM、BVR、BVZ、BVEBO、BVGSS；导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VGSTH、VGETH、VTM；关断参数：VGSOFF 触发参数：IGT、VGT 保持参数：IH、IH+、IH- 锁定参数：IL、IL+、IL- 混合参数：RDSON、GFS
	I-V曲线扫描	ID vs.VDS at range of VGS ID vs.VGS at fixed VDS IS vs.VSD RDS vs.VGS at fixed ID RDS vs.ID at several VGS IDSS vs.VDS HFE vs.IC BVCE（O,S,R,V） vs.IC BVEBO vs.IE BVCBO vs.IC VCE（SAT） vs.IC VBE（SAT） vs.IC VBE（ON） vs.IC （use VBE test） VCE（SAT） vs.IB at a range of ICVF vs. IF
	功率模块静态参数测试（DC）	执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012；试验对象：DIODE、IGBT、MOSFET、SCR、整流桥等功率；试验能力：检测大电压：7000V，检测大电流：5000A 试验参数：漏电参数：IR、ICBO、ICEO、IDSS、IDOFF、IDRM、 IRRM、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、 IGSSR；击穿参数：BVCEO、BVCES、BVDSS、BVCBO、VDRM、 VRRM、BVR、BVZ、BVEBO、BVGSS；导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VGSTH、VGETH、VTM；关断参数：VGSOFF 触发参数：IGT、VGT 保持参数：IH、IH+、IH- 锁定参数：IL、IL+、IL- 混合参数：RDSON、GFS
	开关特性测试（Switch）	执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012；试验对象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模块；试验能力：检测大电压：4500V 检测大电流：5000A 试验参数：开通/关断时间ton/toff、上升/下降时间tr/tf、开通/关断延迟时间td(on)/td(off)、开通/关断损耗Eon/Eoff、电流尖峰Ic-peak max、电压尖峰Vce-peak max、电压变化率dv/dt、电流变化率di/dt；
	反向恢复测试（Qrr）	执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012；试验对象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模块；试验能力：检测大电压：4500V 检测大电流：5000A 试验参数：反向恢复电荷Qrr、反向恢复电流Irm、反向恢复时间Trr、反向恢复电流变化率diF/dt、反向恢复损耗Erec；
	栅电荷（Qg）	执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012；试验对象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模块；；试验能力：检测大电压：4500V 检测大电流：5000A 试验参数：栅电荷Qg、漏电荷Qgs、源电荷Qgd；
	短路耐量（SCSOA）	执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012；试验对象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及IGBT模块器件；试验能力：检测大电压：4500V 检测大电流：10000A 试验参数：短路电流Isc、短路时间Tsc、短路能量Esc；
	结电容（Cg）	执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012；试验对象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模块；试验能力：频率：0.1-1MHz、检测大电压：1500V；试验参数：输入电容Ciss、输出电容Coss、反向传输电容Cres；
	C-V曲线扫描	输入电容Ciss-V；输出电容Coss-V；反向传输电容Cres-V；
	栅电阻（Rg）	执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012；试验对象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及IGBT模块器件；试验能力：检测大电压：1500V；试验参数：栅等效电阻Rg

限能力测试	正向浪涌电流测试	执行标准：MIL-STD-750，IEC60747，客户自定义；试验对象：DIODE（Si/SiC）、整流桥、SCR、IGBT；试验能力：检测大电流：10000A，10ms/8.3ms正弦半波，100us/1ms/10ms方波。试验参数：浪涌电流IFSM/ITSM、i²t
	雷击浪涌	非标
	雪崩耐量测试（UIS）	执行标准：MIL-STD-750，IEC60747，客户自定义；试验对象：MOSFET、IGBT、DIODE，三代半导体器件等单管器件；试验能力：检测大电压：4500V，检测大电流：200A 试验参数：雪崩能量EAS
	介电性测试	执行标准：GB/T 42125.10-2022、IEC 60243、GB 4793.1-2007；试验对象：Si、SiC·MOSFET；试验能力：检测大电压：4500V，检测大电流：200A

功率

老炼

高温反偏试验（HTRB）

执行标准：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJED-4701100、AEC-Q101, 。

试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模块；

试验能力：温度150℃；电压5000V；

高温栅偏试验（HTGB）

执行标准：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、

EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、。

试验对象：MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模块；

试验能力：温度150℃；电压100V；

高温高湿反偏试验（H3TRB）

执行标准：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、

EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、。

试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模块；

试验能力：温度85℃，湿度范围：25%~95%，电压4500V；

功率老炼测试

试验对象：IGBT、TVS、压敏电阻VDR；

试验能力：检测大电压：4500V，检测大电流：200A

间歇寿命试验（IOL）

执行标准：GJB128、MIL-STD-750、；

试验对象：DIODE、BJT、MOSFET、IGBT及SiC器件等分立器件；

检测能力：ΔTj≧100℃ 电压大60V，电流大50A。

功率循环试验（PC）

执行标准：GJB128、MIL-STD-750、；

试验对象：IGBT模块；

检测能力：ΔTj=100℃，电压大30V，电流大1800A；

热阻测试（Riath）

执行标准：JESD51-1、JESD51-14、JESD24-3、JESD24-4、JESD24-6；

试验对象：各类二管；

试验能力：瞬态热阻、稳态热阻

失效分析

X-ray

◆ 人机工程学设计

◆ 编程CNC及选配旋转工装

◆ 可实时追踪、目标点

◆ 高分辨率FPD获高质量图像

◆ 配置大载物台及桌面检测区域

◆ X射线源：

大输出功率：8W

光管类型：封闭式

管电压：90kV

焦点尺寸：5μm

环境

老炼

高温存储试验（HTSL）

执行标准：MIL-STD-750，GB/T 2423.2-2008、GJB548、；